¿Qué es un Ethcher de plasma?
Un Ethcher de plasma es un dispositivo que utiliza el plasma para crear las vías de circuito necesarias por los circuitos integrados de semiconductores. El grabador de plasma hace esto emitiendo un chorro de plasma con precisión apuntar a una oblea de silicio. Cuando el plasma y la oblea entran en contacto entre sí, se produce una reacción química en la superficie de la oblea. Esta reacción deposita dióxido de silicio en la oblea, crea vías eléctricas o elimina el dióxido de silicio ya presente, dejando solo las vías eléctricas.
El plasma que usa un Ethcher de plasma se crea superadurando un gas que contiene oxígeno o flúor o flúor, dependiendo de si es eliminar o depositar el dioxido de silicio. Esto se logra estableciendo primero un vacío en el grabado y generando un campo electromagnético de alta frecuencia. Cuando el gas pasa a través del grabador, el campo electromagnético excita los átomos en el gas, lo que hace que se sobrecalienta.
Como el gas de gas se descompone en su bazaátomos de componentes SE. El calor extremo también eliminará los electrones externos de algunos de los átomos, convirtiéndolos en iones. Cuando el gas deja la boquilla de Ethcher de plasma y alcanza la oblea, ya no existe como un gas, sino que se ha convertido en un chorro de iones muy delgado y sobrecalentado llamado Plasma.
Si se usa un gas que contiene oxígeno para crear el plasma, reaccionará con el silicio en la oblea, creando dióxido de silicio, un material eléctricamente conductor. A medida que el chorro de plasma pasa sobre la superficie de la oblea de una manera controlada con precisión, una capa de dióxido de silicio que se asemeja a una película muy delgada se acumula en su superficie. Cuando se completa el proceso de grabado, la oblea de silicio tendrá una serie precisa de pistas de dióxido de silicio a través de él. Estas pistas servirán como las vías conductoras entre los componentes de un circuito integrado.
Los grabadores de plasma también pueden eliminar el material FROM WAFERS. Al crear circuitos integrados, hay casos en los que un dispositivo dado puede requerir más área de superficie de la oblea para ser dióxido de silicio que no. En este caso, es más rápido y más económico colocar una oblea ya recubierta con el material en el Ethcher de plasma y eliminar el dióxido de silicio innecesario.
Para hacer esto, el Etcher usa un gas a base de flúor para crear su plasma. Cuando el plasma de flúor entra en contacto con el dióxido de silicio que recubre la oblea, el dióxido de silicio se destruye en una reacción química. Una vez que el Atcher ha completado su trabajo, solo quedan las vías de dióxido de silicio que necesitan el circuito integrado.