¿Qué es la memoria ferroeléctrica?
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FRAM) almacena los datos de la computadora utilizando una "película ferroeléctrica" especial que tiene la capacidad de cambiar la polaridad rápidamente. Es capaz de retener datos incluso cuando no está encendido, por lo que se clasifica como memoria no volátil. La memoria ferroeléctrica funciona sin baterías y consume poca energía cuando la información se escribe o reescribe en el chip. El rendimiento de la memoria de acceso aleatorio se combina con las capacidades de la memoria de solo lectura en la memoria ferroeléctrica. Se usa para tarjetas inteligentes y dispositivos móviles como teléfonos celulares porque se usa poca energía y los chips de memoria son difíciles de acceder por alguien que los manipula.
Un chip de memoria ferroeléctrico funciona utilizando una película de titanato de circonato de plomo para alterar un campo eléctrico a su alrededor. Los átomos en la película cambian la polaridad eléctrica a positiva o negativa, o viceversa. Esto hace que la película se comporte como un interruptor que sea compatible con el código binario y pueda permitir que los datos se almacenen de manera eficiente. La polaridad de la película se mantiene igual cuando está apagada, manteniendo la información intacta y permitiendo que el chip funcione sin mucha energía. Los chips de memoria ferroeléctrica incluso mantendrán los datos si la energía se apaga repentinamente, como en un apagón.
En comparación con la memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) y la memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), la memoria ferroeléctrica consume 3.000 veces menos energía. También se estima que durará 10,000 veces más, ya que la información puede escribirse, borrarse y reescribirse muchas veces. Se usa una capa dieléctrica en DRAM, pero se usa una capa ferroeléctrica en su lugar para FRAM. La estructura de los diferentes chips de memoria es muy similar.
También conocida como FeRAM, la memoria ferroeléctrica puede escribir mucho más rápido que otros recuerdos. Se ha estimado que la velocidad de escritura es casi 500 veces más rápida que con un dispositivo EEPROM. Los científicos han utilizado microscopios electrónicos para crear imágenes de los campos eléctricos en la superficie del chip de memoria. Con esta técnica, pueden medir materiales que permiten controlar la polarización a escalas atómicas, para crear chips de memoria que funcionan aún más rápido.
La memoria ferroeléctrica es más eficiente energéticamente que otros tipos de memoria de computadora. También es más seguro usar y almacenar datos porque la información importante no se perderá tan fácilmente. Es adecuado para su uso en teléfonos celulares y en sistemas de identificación por radiofrecuencia (RFID). Los chips de memoria también pueden reescribir datos muchas veces más, por lo que la memoria no se desgastará y deberá reemplazarse en un corto período de tiempo.