Che cos'è un transistor planare?
Il transistor planare è stato inventato da Jean Hoerni nel 1959. Il design del transistor planare è migliorato rispetto ai progetti precedenti rendendoli più economici da produrre, producibili in serie e migliori nell'amplificazione dell'ingresso elettrico. Il transistor planare è costruito in strati e può avere tutte le sue connessioni sullo stesso piano.
Il primo strato in un transistor planare è una base di materiale semiconduttore. Molte impurità vengono aggiunte a questa base che le consente di essere un conduttore migliore. Un secondo strato di semiconduttore, con meno impurità, viene quindi posizionato sopra la base. Dopo che il secondo strato è a posto, il centro di esso viene inciso, lasciando bordi spessi del secondo materiale attorno ai lati e uno strato sottile sopra la base, a forma di ciotola quadrata.
Una sezione di materiale di polarità opposta rispetto ai due strati iniziali viene quindi posizionata nella ciotola. Ancora una volta, il centro di questo strato viene inciso via formando una ciotola più piccola. Viene quindi aggiunto un materiale simile al primo strato del transistor planare. Il secondo, il terzo e il quarto strato sono tutti allineati con la parte superiore del transistor.
I componenti positivi e negativi del semiconduttore planare sono accessibili sullo stesso piano del dispositivo. I connettori metallici possono essere collegati al transistor dopo che i componenti sono in posizione, consentendo al dispositivo di ricevere ed emettere elettricità. Il transistor riceve input dal primo strato ed emette output dal quarto. Il terzo strato viene utilizzato per eseguire una carica nel transistor in modo che possa amplificare l'ingresso.
Sebbene il design del dispositivo sia un po 'più complicato rispetto ai transistor precedenti, molti transistor planari possono essere realizzati contemporaneamente. Ciò riduce la quantità di tempo e, successivamente, il denaro necessario per produrre transistor e ha contribuito a spianare la strada a un'elettronica più economica. Questi tipi di transistor possono anche aumentare l'input a livelli più alti rispetto ai precedenti modelli di transistor.
Nei transistor precedenti, lo strato di ossido che si forma naturalmente sulla superficie del semiconduttore è stato rimosso dal transistor per prevenire la contaminazione. Ciò significava che dovevano essere esposte le delicate giunzioni tra le sezioni positiva e negativa del transistor. La costruzione del transistor a strati, come richiesto dal progetto di Hoerni, incorporava lo strato di ossido come elemento protettivo per le giunzioni.