반도체 장치 란?

반도체는 전자 환경 내에서 에너지 흐름을 조작하는 데 사용됩니다. 반도체 장치는 에너지에 대한 특정 제어를 제공하기 위해이 기술의 많은 조작입니다. 이러한 장치는 다양한 형태와 다양한 유형의 전자 장치로 제공됩니다.

반도체 장치는 전력이 전자 장치에 도달하는 방식을 제어하기 위해 쉽게 조작 할 수있는 재료로 구성됩니다. 전계의 유도, 빛에 대한 노출, 압력 및 열을 사용하여 반도체를 변경할 수 있습니다. 반도체 장치는 정공 또는 p 형인 정공이있는 물질과 음의 전자 또는 n 형인 여분의 전자가있는 물질로 구성됩니다.

다이오드는 간단한 구조로 인해 가장 일반적인 반도체 장치 중 하나입니다. 이 반도체 장치는 단일 p 형 반도체 및 단일 n 형 반도체로 구성된다. 다이오드의 단점은 작은 용량으로 인해 많은 양의 에너지가 흐를 수 없다는 것입니다.

트랜지스터는 더 복잡한 형태의 반도체 장치입니다. 이들은 p 형 및 n 형 반도체의 여러 조합으로 구성됩니다. 이 반도체 장치는 더 큰 크기로 인해 더 많은 에너지를 통과시킬 수 있습니다. 특정 작업에 맞게 사용자 정의 할 수도 있습니다. 가장 널리 사용되는 트랜지스터 유형으로는 바이폴라 접합 트랜지스터, 전계 효과 트랜지스터 및 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET)가 있습니다.

MOSFET은 전도도를 가장 잘 제어 할 수 있기 때문에 가장 보편적 인 형태의 반도체 장치입니다. 그것의 구조는 전력의 흐름을 제어하는 ​​게이트로서 기능하는 전기장을 포함한다. 일반적으로 금속 게이트로 알려져 있지만 금속을 포함하지 않습니다. 대신 폴리 실리콘으로 알려진 재료로 구성됩니다.

반도체 장치는 폴리 실리콘 이외의 다양한 재료로 만들어집니다. 실리콘은 저렴한 비용과 넓은 온도 범위로 인해 반도체 장치 제조에서 가장 일반적으로 사용되는 재료입니다. 제라늄은 건축에 사용 된 초기 재료 였지만 제한된 온도 임계 값이 다른 재료보다 뛰어났습니다. 인듐 및 실리콘 카바이드가 다른 인기있는 재료입니다.

이러한 재료는 다양한 장치를 구성하는 데 사용됩니다. 여기에는 교류 용 다이오드 (DIAC), 건 다이오드 및 광전지와 같은 2 단자 다이오드 장치; 및 바이폴라 트랜지스터, 달링턴 트랜지스터 및 전계 효과 트랜지스터와 같은 3 단자 장치. 4 개 이상의 터미널을 포함한 장치는 다양한 작업에도 사용할 수 있습니다.