Hva er ferroelektrisk minne?

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) lagrer datadata ved hjelp av en spesiell "Ferroelektrisk film" som har muligheten til å endre polaritet raskt. Den er i stand til å beholde data selv når strømmen ikke er på, så den er klassifisert som ikke-flyktig minne. Ferroelektrisk minne fungerer uten batterier og bruker lite strøm når informasjon blir skrevet eller skrevet om til brikken. Ytelsen til tilfeldig tilgangsminne er kombinert med evnene til skrivebeskyttet minne i ferroelektrisk minne. Det brukes til smartkort og mobile enheter som mobiltelefoner fordi lite strøm brukes og minnebrikkene er vanskelig å få tilgang til av noen som tukler med dem.

En ferroelektrisk minnebrikke fungerer ved å bruke en bly zirkonat -titranatfilm for å endre et elektrisk felt rundt den. Atomene i filmen endrer den elektriske polariteten til positiv eller negativ, eller omvendt. Dette fører til at filmen oppfører seg som en bryter som er kompatibel med binærkode og kan tillate at data kan lagres efficiently. Polariteten til filmen forblir den samme når kraften er av, og holder informasjonen intakt og lar brikken fungere uten mye energi. Ferroelektriske minnebrikker vil til og med oppbevare data hvis strømmen plutselig slås av, slik som i en blackout.

Sammenlignet med dynamisk randomadgangsminne (DRAM) og elektrisk slettbart programmerbart skrivebeskyttet minne (EEPROM), bruker ferroelektrisk minne 3000 ganger mindre kraft. Det anslås også å vare 10.000 ganger lenger siden informasjon kan skrives, slettes og omskrives mange ganger. Et dielektrisk lag brukes i DRAM, men et ferroelektrisk lag brukes i stedet for det for FRAM. Strukturen til de forskjellige minnebrikkene er ellers veldig lik.

Også kjent som Feram, kan ferroelektrisk minne skrive mye raskere enn andre minner. Skrivhastigheten er estimert til å være nesten 500 ganger raskere enn med en EEPROM -enhet. ScientiSTS har brukt elektronmikroskop for å lage bilder av de elektriske feltene på minnekiven. Ved å bruke denne teknikken kan de måle materialer som gjør at polarisering kan kontrolleres ved atomskalaer, for å lage minnebrikker som fungerer enda raskere.

Ferroelektrisk minne er mer energieffektivt enn andre typer dataminne. Det er også tryggere å bruke og lagre data om fordi viktig informasjon ikke vil gå tapt like lett. Det er egnet for bruk i mobiltelefoner og i radiofrekvensidentifikasjonssystemer (RFID). Minnebrikkene kan også omskrive data mange flere ganger, så minnet vil ikke slite ut og må byttes ut på kort tid.