O que é a sputtering de RF magnetron?

A pulverização de magnetron de radiofrequência, também chamada de sputtering de magnetron de RF, é um processo usado para fazer filme fino, especialmente ao usar materiais que não são condutores. Nesse processo, um filme fino é cultivado em um substrato que é colocado em uma câmara de vácuo. Ímãs poderosos são usados ​​para ionizar o material alvo e incentivá -lo a se estabelecer no substrato na forma de um filme fino.

O primeiro passo no processo de pulverização de magnetron RF é colocar um material de substrato em uma câmara de vácuo. O ar é então removido e o material alvo, o material que incluirá o filme fino, é liberado na câmara na forma de um gás. As partículas deste material são ionizadas através do uso de ímãs poderosos. Agora, na forma de plasma, o material -alvo carregado negativamente se alinha no substrato para formar um filme fino. Os filmes finos podem variar de espessura de algumas a algumas centenas de átomos ou moléculas.

Os ímãs ajudam a acelerar o crescimento do filme fino porque MaA gente dos átomos ajuda a aumentar a porcentagem de material alvo que se torna ionizado. Os átomos ionizados têm maior probabilidade de interagir com as outras partículas envolvidas no processo de filme fino e, portanto, são mais propensos a se estabelecer no substrato. Isso aumenta a eficiência do processo de filme fino, permitindo que eles cresçam mais rapidamente e com pressões mais baixas.

O processo de pulverização de magnetron RF é especialmente útil para fazer filmes finos com materiais que não são condutores. Esses materiais podem ter mais dificuldade em se formar em um filme fino, porque se tornam carregados positivamente sem o uso do magnetismo. Os átomos com uma carga positiva desacelerarão o processo de pulverização e podem "envenenar" outras partículas do material alvo, diminuindo ainda mais o processo.

A pulverização de magnetron pode ser usada com materiais condutores ou não condutores, enquanto um processo relacionado, chamado DiodE (DC) Sputtering de magnetron, trabalha apenas com materiais condutores. A pulverização de magnetron DC é frequentemente feita a pressões mais altas, o que pode ser difícil de manter. As pressões mais baixas utilizadas na pulverização de magnetron de RF são possíveis devido à alta porcentagem de partículas ionizadas na câmara de vácuo.