Что такое полевой транзистор?

Полевой транзистор (FET) - это электронный компонент, обычно используемый в интегральных схемах. Они представляют собой уникальный тип транзистора, который предлагает переменное выходное напряжение в зависимости от того, что было введено в них. Это в отличие от биполярных переходных транзисторов (BJT), которые предназначены для включения и выключения состояний в зависимости от тока. Наиболее распространенный тип используемого полевого транзистора, полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) часто включается в конструкцию компьютерной памяти, поскольку он предлагает более высокую скорость при меньшем энергопотреблении, чем BJT.

Транзисторы имеют множество различных функций и функций для схем, для которых они предназначены. Органические полевые транзисторы (OFET) построены на подложке из органического слоя, которая обычно является формой полимера. Эти транзисторы обладают гибкими и биоразлагаемыми качествами и используются при изготовлении таких вещей, как пластиковые дисплеи и листы солнечных элементов. Другой тип изменения полевого транзистора - это полевой транзистор с коммутацией (JFET), который действует в виде диода в цепи, проводя ток только в случае изменения напряжения.

Полевые транзисторы с углеродными нанотрубками (CNTFET) представляют собой форму экспериментального полевого транзистора, который построен на одиночных углеродных нанотрубках вместо типичной кремниевой подложки. Это делает их примерно в 20 раз меньше, чем самые маленькие транзисторы, которые могут быть изготовлены с использованием обычной технологии тонких пленок. Их обещание состоит в том, чтобы предлагать гораздо более высокие скорости компьютерной обработки и больший объем памяти при меньших затратах. Они были успешно продемонстрированы с 1998 года, но такие проблемы, как разрушение нанотрубок в присутствии кислорода и долговременная надежность при температурах или напряжениях электрического поля, сделали их экспериментальными.

Другие типы полевых транзисторов, обычно используемых в промышленности, включают в себя затворные транзисторы, такие как биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), который может выдерживать напряжения до 3000 вольт и действовать как быстрые переключатели. Они имеют разнообразные применения во многих современных приборах, электрических системах автомобилей и поездов, а также широко используются в усилителях звука. Полевые транзисторы с обедненным режимом являются еще одним примером изменения конструкции полевого транзистора и часто используются в качестве фотонных датчиков и схемных усилителей.

Множество сложных потребностей в компьютерном и электронном оборудовании продолжают способствовать диверсификации конструкции как транзисторов, так и материалов, из которых они изготовлены. Полевой транзистор является основным компонентом практически во всех схемах. Принцип полевого транзистора был впервые запатентован в 1925 году, однако постоянно создаются новые концепции использования этой идеи.