Bir radyo frekansı entegre devresi, radyo frekansı (RF) aralığındaki sinyal frekansları için aktif cihazlar kullanan kompakt bir elektronik devredir. Radyo frekans devreleri, düşük ve yüksek güç amplifikatörleri, modülatörleri ve demodülatörleri içerir. Yükselteçler, RF sinyallerinin voltajını veya güç seviyesini arttırır. Amplifikatörlere giriş seviyeleri alıcılar için çok düşük olabilir ve bu düşük seviyeler volt (V) 'nin bir milyonda biri kadar düşük olabilir. Modülatörler, bir RF taşıyıcısını değiştirmek için vericilerde kullanılır, böylece mesaj veya bilgi taşıyıcının bir özelliği olarak birleştirilir, demodülatörler bilgileri mevcut modüle edilmiş taşıyıcılardan alır.
Entegre devre (IC) ayrıca yarı iletkenli bir yonga veya mikroçip olarak da adlandırılır. Elektronik, bilgisayar ve dijital cihazlarda kullanılan kontrollü valf mekanizması, bir kontrol terminalinin iki ana terminal arasındaki akımı belirlemesini sağlayan üç terminal yarı iletkenleri ile mümkün olmaktadır. Radyo frekansı entegre devresi, cep telefonları gibi popüler cihazlarda işlevleri gerçekleştirmek için çok küçük bir pakette düzinelerce yarı iletken kullanmaktadır.
Radyo frekansı entegre devreleri, alıcıların, vericilerin ve RF test ekipmanlarının tasarımında ve üretiminde birçok sorunu çözmektedir. Çok yüksek RF frekanslarında, ayrı aktif cihazların kullanımı, devre uzunluklarını tamamlamak için gereken tellerin uzunluğu veya iletken izlerle sınırlanabilir. Radyo frekansı entegre devresi, ortak bir pakette çok küçük bileşenler kullanır, bu nedenle devrenin aktif düğümleri arasında genellikle uzun tellerden veya elektrostatik yakınlıktan kaynaklanan aşamalar arasında çok az bağlantı vardır.
Nispeten uzun tel endüktans olarak bilinen bir özelliğe neden olur. Endüktans, akım taşıyan bir telde ortaya çıkan manyetik alanın neden olduğu reaksiyondur. Bir endüktörü geçmeye çalışan RF genellikle zayıflatılır, bu, indüktördeki bir sinyal düşüşü arttıkça sinyal seviyesinin düştüğü için yüksek RF frekansıyla artar. Bir devrenin aktif düğümleri arasındaki yakınlık, kapasitansla sonuçlanır, bu, yük taşıyıcılarının şarj edilmesi ve boşaltılmasından kaynaklanan bir reaksiyondur. Bir kapasitörde, tepkimeye zıt yüklerin çekme eğilimi neden olur.
Modern radyo frekansı entegre devre, düşük güç tüketimi ve iyi sinyal performansı içeren en iyi performans özelliklerini sunar. Erken RF cihazları, erken taşınabilir iletişim ekipmanı için daha az bekleme ve konuşma süresine yol açan yüksek güç tüketimi sorunlarıyla karşı karşıya kaldı. Taşınabilir batarya teknolojisi gelişmiş olsa da, radyo frekansı entegre devrelerinin düşük güç tüketimi, cihazların bataryayla çalıştırılan konuşma süresi performansını büyük ölçüde artırdı. Radyo frekansı entegre devresi ayrıca daha az bozulma ve daha düşük gürültü seviyeleri açısından daha iyi sinyal kalitesine yol açmıştır.
