What is dry etching?

Dry etching is one of the two main etching processes used in microelectronics and some semiconductor processing. Unlike wet etching, dry etching does not bind a material that should be etched into liquid chemicals. Instead, it uses gas or physical processes to etch or create small cut channels in the material. Dry etching is more expensive than wet etching, but allows greater accuracy of the type of channels created. If the channels must be particularly deep or about a particular shape - for example with vertical parties - dry etching is required. However, the costs are also considered, as the cost of dry etching is significantly more than wet etching. After camouflage, the material is either subjected to a type of plasma etching, which exposes it to a gaseous chemical, such as hydrogen fluoride, or subjected to physical processes such as milling ion beam, creating etching without gas.

Existují tři typy leptání v plazmě. The first reaction ionic etching (RIE) creates channels through a chemical reaction that occurs between the ions in the plasma and the wafer surface, which removes small amounts of a wafer. Rie umožňuje změnu struktury kanálu, od téměř rovného až po zcela zaoblené. Druhý proces leptání v plazmě, parní fáze, se liší od RIE pouze v jednoduchém nastavení. Fáze páry však umožňuje menší změnu typu produkovaných kanálů.

Třetí technika, leptací prsnost, také používá ionty k leptání oplatků. Ionty ve fázi Rie a Vapor sedí na povrchuoplatky a reagovat s materiálem. Naproti tomu leptání rozprašování bombarduje materiál ionty, aby se vyřezával zadané kanály.

Výrobci musí vždy rychle odstranit vedlejší produkty, které se vyrábějí během procesu leptání. Tyto vedlejší produkty mohou zabránit úplnému leptání, pokud se kondenzují na povrchu oplatky. Často jsou odstraněny jejich vrácením do plynného stavu před dokončeThe etching process.

One attribute of dry etching is the ability of a chemical reaction that occurs in only one direction. This phenomenon is called anisotropy, allowing the channels to be etched without the reaction of the masked regions of the wafer. It usually means that the reaction takes place in a vertical direction.