¿Qué es el carnero ferroeléctrico?
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FRAM o FERAM) es un tipo especializado de medio de almacenamiento de datos de estado sólido para aplicaciones informáticas. Se diferencia de la RAM común utilizada en la mayoría de las computadoras personales, ya que no es volátil, lo que significa que conserva los datos almacenados en él cuando la potencia se apaga al dispositivo, no es cierto de la RAM dinámica estándar (DRAM). Las propiedades únicas del material del cual se realiza el FRAM le proporcionan un estado ferroeléctrico natural, lo que significa que tiene una polarización incorporada que se presta al almacenamiento semipermanente de datos sin necesidad de energía. Esta polarización natural significa que FRAM tiene un nivel de consumo de energía bajo sobre DRAM estándar.
Los datos en un chip de Fram también se pueden cambiar aplicando un campo eléctrico para escribirle nueva información, lo que le da cierta similitud a la RAM Flash y a los chips de memoria programables en muchos tipos de industrias computarizadasMáquinas IAL conocidas como memoria de solo lectura programable eléctricamente borrable (EEPROM). Las principales desventajas del FRAM son que la densidad de almacenamiento para los datos es considerablemente menor que la de otros tipos de RAM y es más difícil de producir, ya que la capa ferroeléctrica puede degradarse fácilmente durante la fabricación de chips de silicio. Dado que la RAM ferroeléctica no puede contener una gran cantidad de datos y sería costoso hacer aplicaciones que requieran mucha memoria, se usa con mayor frecuencia en dispositivos portátiles basados en computadora como tarjetas inteligentes vinculadas a sistemas de seguridad para ingresar edificios e etiquetas de identificador de radiofrecuencia (RFID) utilizadas en productos de consumo para rastrear el inventario.
El material más utilizado para fabricar RAM ferroeléctrico a partir de 2011 es el titanato de circonato principal (PZT), aunque la historia de la tecnología se remonta a su concepción en 1952 y la primera producción cerca de finales de la década de 1980. La arquitectura de chips fram se basa en un modelo donde se combina un condensador de almacenamientocon un transistor de señalización para formar una celda de metalización programable. El material PZT en la RAM ferroreléctrica es lo que le da la capacidad de retener datos sin acceso a la energía. Si bien la arquitectura se basa en el mismo modelo que DRAM y ambos almacenan datos como cadenas binarias de otras y ceros, solo la RAM ferroeléctrica tiene memoria de cambio de fase, donde los datos están integrados permanentemente hasta que un campo eléctrico aplicado borra o sobrescribe. En este sentido, la RAM ferroeléctrica funciona de la misma manera que la memoria flash o un chip EEPROM, excepto que la velocidad de lectura-escritura es mucho más rápida y se puede repetir más veces antes de que el chip de Fram comience a fallar, y el nivel de consumo de energía es mucho más bajo.
Dado que el RAM ferroeléctrico puede tener tasas de acceso de lectura-escritura 30,000 veces más rápido que un chip EEPROM estándar, junto con el hecho de que puede durar 100,000 veces más y tener solo 1/200
th del consumo de energía de EEPROM, es un tipo de precursor de la memoria de la pista. Pista de carreras mEmory es un tipo de memoria de estado sólido universal no volátil en el diseño en los EE. UU. Que eventualmente puede reemplazar los discos duros estándar de la computadora y los dispositivos de memoria flash portátiles. Una vez comercializado, se espera que la memoria de hipódromo tenga una velocidad de lectura-escritura que sea 100 veces más rápida que la RAM ferroeléctrica actual, o 3.000,000 de veces más rápido que el nivel de rendimiento de un disco duro estándar a partir de 2011.