¿Qué es un implante de iones?
La implantación de iones tiene aplicaciones en varias industrias diferentes, especialmente en la realización de semiconductores. Un implante de iones es un ion de un elemento particular, colocado en su material circundante con el fin de cambiar las propiedades eléctricas o superficiales del material. Algunos elementos comunes que pueden usarse en la implantación de iones son fósforo, arsénico, boro y nitrógeno.
La ciencia de la implantación de iones se ha conocido desde la década de 1950, pero no fue de gran uso hasta la década de 1970. Una máquina llamada A Mass Separator se usa para implantar iones en su material de destino, que se llama "sustrato" con fines científicos. En una configuración típica, los iones se producen en un punto fuente y luego se aceleran hacia un imán de separación, que concentra y apunta efectivamente a los iones hacia su destino. Los iones consisten en átomos o moléculas con una serie de electrones que son más altos o más bajos de lo habitual, lo que los hace más activos químicamente.
al llegar al submarinoStrate, estos iones chocan con átomos y moléculas antes de detenerse. Dichas colisiones pueden involucrar el núcleo del átomo o un electrón. El daño causado por estas colisiones cambia las propiedades eléctricas del sustrato. En muchos casos, el implante de iones afecta la capacidad del sustrato para realizar electricidad.
Una técnica llamada Doping es el propósito principal para usar un implante de iones. Esto se hace comúnmente en la producción de circuitos integrados y, de hecho, los circuitos modernos como los de las computadoras no se pueden hacer sin implantación de iones. El dopaje es básicamente otro nombre para la implantación de iones que se aplica específicamente a la fabricación de circuitos.
Doping requiere que los iones se produzcan a partir de un gas muy puro, que a veces puede ser peligroso. Debido a esto, hay muchos protocolos de seguridad que rigen el proceso de dopaje de obleas de silicio. Las partículas del gas son ACCELERADO Y MIRADA ALGUNA DEL SUSTRIO DE SILICON EN UN SEPARADOR DE MASA AUTOMADA. La automatización reduce los problemas de seguridad, y varios circuitos por minuto pueden doparse de esta manera.
La implantación de ionestambién se puede utilizar para hacer herramientas de acero. El propósito de un implante de iones en este caso es cambiar las propiedades de la superficie del acero y hacerlo más resistente a las grietas. Este cambio es causado por una ligera compresión de la superficie debido a la implantación. El cambio químico provocado por el implante de iones también puede protegerse contra la corrosión. Esta misma técnica se utiliza para diseñar dispositivos protésicos, como articulaciones artificiales, dándoles propiedades similares.