2N2222Aトランジスタとは

2n2222aトランジスタは、3つの端子で構成されるバイポーラ接合トランジスタ（BJT）であり、半導体材料で構成されています。 低電力の増幅とスイッチングに使用され、回路基板に配置するための共通の表面実装とスルーホールパッケージの両方で提供されます。このトランジスタは、すべてのタイプのトランジスタの中で最も使用され、1960年代初期に最初に開発されました。 これは、伝導エネルギーを輸送するために設計された2つの別々のNドープ層の間に、流入電流を増幅するPドープ半導体のトランジスタベースで構成される、負-正-負（NPN）と呼ばれるBJTトランジスタのバリエーションです。

3ピン形式に配置された2n2222aトランジスタのコンポーネントには、ベースリード、プラスコレクタおよびマイナスエミッタが含まれます。 これらの要素は、適切なラベルが付けられたベース、エミッタ、およびコレクタ側のトランジスタ回路図で見ることができます。 中央の円形パターンは、トランジスタ内で各リードがどこに集まるかを示しています。 個々の2n2222aトランジスタレイアウトは、送信機の回路図でも見ることができ、機能電子システムでの設計とコンポーネントの配置を理解できます。

環状プロセスと呼ばれる製造能力は1950年代後半に開始され、その時点でスタージオメトリトランジスタが作成されました。 これは、主要なエレクトロニクス開発および製造会社が設計した、この種のジオメトリに基づいた2n2222シリーズトランジスタの開発に先行しました。 ユニットは、他のタイプのトランジスタにも標準的な金属ケーススタイルで利用できます。 いくつかの大手電子機器メーカーは、トランジスタラジオなどの電子機器に2n2222aトランジスタを統合しています。

トランジスタ特性は、低から中レベルの電流をサポートできます。 2n2222aトランジスタは高速動作にも耐えることができ、中電圧および低電力で機能します。 トランジスタのコレクタは最大500ミリアンペアまでの電流レベルを許容しますが、飽和電流とともに漏れ電流は低く抑えられます。 21世紀初頭には、2n2222aトランジスタの使用を補完するトランジスタや、電流の一部をスイッチングするが低電力デバイスに適した他のタイプを含む、より低い電圧変動が利用可能になりました。

これは多くの異なるアプリケーションでうまく機能するため、多くのメーカーが低レベルの信号で動作する電子機器を構築するために使用しています。 周波数変調（FM）トランスミッターおよび短波ラジオにも、この種のトランジスタが含まれています。 2n2222aトランジスタは、新しい技術が定期的に開発されるにつれて同様のコンポーネントが古くなっていても、多くの種類の電子機器に見られます。