バラクタダイオードとは何ですか？

より一般的にはVaricapと呼ばれるバラクタダイオードは、標準ダイオードに非常に密接に関連する電子半導体デバイスですが、コンデンサに類似した特定の機能を備えています。バラクタと標準ダイオードの違いは、標準ダイオードがデバイスの静電容量を最小限に抑えるように設計されていることです。一方、バラクターダイオードは、容量を使用および悪用するように設計されています。バラクターダイオードは、パラメトリックアンプや、電圧の変化によって変化する可能性のあるその他のチューニング回路などのパラメトリックエレクトロニクスで一般的に使用されます。 1つの材料はカソードと呼ばれる負に充電され、もう1つはアノードと呼ばれる積極的に充電されます。ダイオードが最初に作成されると、これらの2つの材料が出会う電子を交換し、枯渇層と呼ばれるダイオード内の領域を作成しますが、電荷は好まれません。 DIに2つの異なる充電を作成しますODEは、ダイオードのマトリックスに否定的または積極的に充電された材料を追加することによって達成されます。通常のダイオードでは、この充電された材料は、カソードとアノードの幅とアノードの幅にできるだけ均一に追加され、ダイオードが状態をできるだけ迅速かつ低い電圧で変更できるようにします。

負の電圧がダイオードのアノードリードに適用される場合、負の電圧の​​ポテンシャルは負のカソードのポテンシャルと組み合わされます。この力が枯渇層を橋渡しするのに十分な強度があると、ダイオードの正に帯電したアノードを簡単に移動し、ダイオードは電気を伝導します。この状態のダイオードには、前方バイアスがあると言われています。

ダイオードのカソードリードに同じ電圧が適用されると、枯渇層がアノードの両側から広がり、2つの負の力の間に挟まれた正のアノードがカパシティを作成しますダイオード内のve電界。最初は、このフィールドはダイオードを通過する電流の流れのみを遅くするだけでしたが、電圧が増加し、フィールドが強度に構築されると、最終的にフィールドは電流がダイオードを完全に通過するのをブロックするのに十分強くなります。この状態のダイオードには逆バイアスがあると言われています。

ほとんどのダイオードは、電流がまだ流れ、静電容量の電界が存在するときに、できるだけ早く領域を通過するように設計されています。ただし、バラクタダイオードは、このゾーン内で動作するように設計されています。標準ダイオードとは異なり、バラクター内の荷電材料が勾配パターンで追加され、カソードとアノードの幅全体で電荷の強度が変化します。この方法で構築されたダイオードの枯渇層は、適用される電圧に比例して幅が異なります。その結果、ダイオードは容量フィールドを持つ可変コンデンサとして機能し、より多くの電圧が印加されて増加するにつれて減少しますg電圧が少ないとき。

バラクターダイオードは、可変コンデンサなどのより高価でインストールが困難なデバイスの代わりに使用できます。ただし、バラクタダイオードは、単にコストを削減し、製造プロセスを容易にするために常に使用されるとは限りません。バラクタは、テレビやラジオチューナーなどのアプリケーションでよく使用されます。このアプリケーションでは、能力により、チャンネルやステーションの頻度を非常に迅速にロックできるようになります。