메모리 새로 고침이란 무엇입니까?

메모리 새로 고침은 컴퓨터의 랜덤 액세스 메모리 (RAM)가 주기적으로 수행되는 충전주기입니다. 컴퓨터가 데이터를 읽을 때 정보는 각각 1 또는 0으로 설정되거나 해제됩니다. 1 개의 섹션이 에너지를 잃지 않고 RAM에서 정보가 사라지지 않도록 메모리의 해당 섹션이 재충전됩니다. 메모리 새로 고침주기가 발생하지 않으면 컴퓨터가 읽은 정보가 몇 밀리 초 내에 사라집니다. 모든 유형의 RAM이 새로 고침주기를 거치지 만, DRAM (Dynamic Random Access Memory)에는 각 데이터에 대한 커패시터 장치가 있기 때문에 가장 자주 수행됩니다.

컴퓨터가 응용 프로그램을 열고 데이터를 읽거나 어떤 작업을 수행하면 정보를 이진으로 읽습니다. 이진수는 1과 0으로 구성된 컴퓨터 언어이며, 1은 켜져 있고 0은 꺼져 있습니다. 0이 있으면 정보의 해당 부분은 꺼져 있기 때문에 전하가 필요하지 않습니다. 1이 있으면 메모리를 켜려면 전기가 필요합니다. 전기 요금으로, 메모리는 사용자가 요청한 정보를 표시 할 수 있습니다.

청구는 일시적입니다. 메모리를 새로 고치지 않으면 충전이 사라지고 RAM의 모든 섹션이 0으로 바뀌며 정보를 오랫동안 표시하거나 저장할 수 없습니다. 충전이 완전히 사라지는 데 몇 밀리 초 밖에 걸리지 않습니다.

이 문제를 해결하기 위해 모델에 따라 메모리 컨트롤러 장치 또는 중앙 처리 장치 (CPU)가 RAM을 방문합니다. 1로 표시된 섹션은 전원이 꺼지지 않도록 전기 요금을받습니다. 이 프로세스는 사용자 지시없이 자동으로 진행되며 1 초에 수천 번 발생합니다. 메모리 새로 고침을 수행하면 컴퓨터가 모든 정보를 보유 할 수 있습니다. 그러나 많은 양의 새로 고침을하면 상당한 양의 전력이 소모되고 컴퓨터 속도가 느려집니다.

모든 RAM 버전은 메모리 새로 고침을 거치지 만 RAM이 가장 많은 RAM 버전은 DRAM입니다. DRAM과 다른 RAM 장치의 주요 차이점은 각 데이터 섹션을 별도의 커패시터 장치로 유지하도록 구성되어 있다는 것입니다. 이렇게하면 정보를보다 쉽게 ​​저장할 수있을뿐만 아니라 메모리 새로 고침주기가 DRAM 스틱을 재충전하지 않는 경우 더욱 휘발성이 있습니다.