O que são semicondutores extrínsecos?

Os semicondutores extrínsecos são materiais parcialmente condutores e parcialmente isolantes que foram quimicamente alterados para suportar uma carga elétrica não neutra. Eles são os blocos de construção de dispositivos semicondutores. A produção de semicondutores extrínsecos segue uma produção bem-sucedida de semicondutores intrínsecos e sua transformação em semicondutores positivos (p) ou negativos (N) do tipo. Esse silício puro, enquanto em forma líquida, reage facilmente com oxigênio para reverter para uma variação da areia comum. Ao usar um ambiente de produção especial, como no vácuo ou um gás que não reage, o material de silício tem chance de ter alta pureza. Quaisquer vestígios indesejáveis ​​de outros elementos e compostos também são separados para alcançar o silício puro. Silício derrete a cerca de 2.577 ° F (cerca de 1.414 ° C), portanto, são necessários equipamentos e tecnologia especiais para produzir semicondu extrínsecocTors.

O silício puro por si só deve ser dopado para que ele não permaneça permanentemente como um semicondutor intrínseco. O doping envolve a introdução de impurezas controladas adicionais no semicondutor intrínseco enquanto está em forma líquida. Na indústria de eletrônicos, o Silicon Pure funcionando como um semicondutor intrínseco precisa ser convertido em um semicondutor extrínseco para ser usado. Se se solidificou como intrínseco, precisa ser derretido novamente para criar um semicondutor extrínseco. Uma vez que o semicondutor intrínseco está em forma líquida, é a próxima escolha do tipo P ou do tipo N é a próxima escolha e, com os elementos dopantes certos ou a escolha correta de impurezas controladas, o semicondutor intrínseco se torna um semicondutor extrínseco ou um semicondutor dopado.

Os semicondutores extrínsecos são do tipo n ou P-tipo P, dependendo do dopante usado. Um dopante, como o boro, pode ter tOs elétrons hreens na concha do átomo externo, ou valência, para produzir um semicondutor do tipo P. Aqueles com cinco elétrons de valência, como o fósforo, são usados ​​como dopantes para produzir um semicondutor do tipo N. A adição de boro ao silício puro fundido em um ambiente não reativo o torna um semicondutor do tipo P, ou um aceitador de elétrons, enquanto o silício intrínseco doping com fósforo cria um semicondutor do tipo n ou um doador de elétrons. Um átomo de boro para até 10 milhões de átomos de silício é a razão típica da quantidade de impureza em um semicondutor intrínseco.

Uma planta semicondutora fornece componentes com várias combinações de semicondutores extrínsecos. O diodo de dois terminais possui uma única junção P-N, ou um semicondutor do tipo P e N unido. Os chips de integração em larga escala têm milhares de junções de semicondutores do tipo P e N.