¿Qué es un transistor de efecto de campo?
Un transistor de efecto de campo (FET) es un componente electrónico comúnmente utilizado en circuitos integrados. Son un tipo único de transistor que ofrece un voltaje de salida variable dependiendo de lo que se les haya entrado. Esto contrasta con los transistores de unión bipolar (BJT) que están diseñados para tener estados de encendido y apagado dependiendo del flujo de corriente. El tipo más común de FET en uso, el transistor de campo-efecto de óxido de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se incorpora con frecuencia en el diseño de la memoria de la computadora, ya que ofrece una velocidad más alta con menos consumo de energía que los BJTS.
Los transistores tienen muchas características y funciones diferentes para los circuitos para los cuales están diseñados. Los transistores de efectos de campo orgánicos (OFET) se basan en un sustrato de capa orgánica, que generalmente es una forma de polímero. Estos transistores tienen cualidades flexibles y biodegradables, y se utilizan para hacer cosas como pantallas de video basadas en plástico y láminas de células solares. Otro tipo de variación FET es el campo de la unión-ETransistor ffect (JFET), que actúa como una forma de diodo en un circuito, solo realización de corriente si el voltaje se invierte.
Los transistores de efectos de campo de nanotubos de carbono (CNTFET) son una forma de transistor experimental de efectos de campo que se basan en nanotubos de carbono único en lugar de un sustrato de silicio típico. Esto los hace aproximadamente 20 veces más pequeños que los transistores más pequeños que se pueden fabricar con tecnología de película delgada convencional. Su promesa es ofrecer velocidades de procesamiento de computadora mucho más rápidas y una mayor memoria a un costo menor. Se han demostrado con éxito desde 1998, pero problemas como la degradación de los nanotubos en presencia de oxígeno y confiabilidad a largo plazo bajo tensiones de temperatura o campo eléctrico los han mantenido experimentales.
Otros tipos de transistores de efectos de campo en uso común en la industria incluyen transistores de puerta, como el BIP de puerta aisladaOLAR Transistor (IGBT), que puede manejar voltajes de hasta 3.000 voltios y actuar como interruptores rápidos. Tienen diversas aplicaciones en muchos electrodomésticos modernos, sistemas eléctricos de automóviles y trenes, además de ser comúnmente utilizados en amplificadores de audio. Los FET de modo agotado son otro ejemplo de una variación en el diseño de FET, y a menudo se usan como sensores de fotones y amplificadores de circuito.
Las muchas necesidades complejas de los equipos de computadora y electrónica continúan promoviendo una diversificación en el diseño de cómo funcionan los transistores como en los materiales a partir de los cuales se construyen. El transistor de efecto de campo es un componente fundamental en prácticamente todos los circuitos. El principio para el transistor de efecto de campo se patentó por primera vez en 1925, pero se crean continuamente nuevos conceptos sobre cómo utilizar esa idea.
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