Qu'est-ce qu'un transistor à effet de champ?
Un transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique couramment utilisé dans les circuits intégrés. Ils sont un type de transistor unique qui offre une tension de sortie variable en fonction de ce qui leur a été. Cela contraste avec les transistors à jonction bipolaire (BJT) qui sont conçus pour avoir des états sur et hors des états en fonction du flux de courant. Le type de FET le plus courant utilisé, le transistor à effets de champ (MOSFET) à l'oxyde de métal (MOSFET) est fréquemment incorporé dans la conception de la mémoire de l'ordinateur, car il offre une vitesse plus élevée avec moins de consommation d'énergie que les BJT.
Les transistors ont de nombreuses caractéristiques et fonctions différentes pour les circuits pour lesquels ils sont conçus. Les transistors à effet de champ organiques (OFET) sont construits sur un substrat de couche organique, qui est généralement une forme de polymère. Ces transistors ont des qualités flexibles et biodégradables et sont utilisés pour faire des choses telles que des affichages vidéo à base de plastique et des feuilles de cellules solaires. Un autre type de variation FET est le champ de jonction-etransistor FFECT (JFET), qui agit comme une forme de diode dans un circuit, ne conduisant le courant que si la tension est inversée.
Les transistors à effet de champ de nanotube de carbone (CNTFET) sont une forme de transistor expérimental à effet de champ qui sont construites sur des nanotubes de carbone uniques au lieu d'un substrat de silicium typique. Cela les rend environ 20 fois plus petits que les plus petits transistors qui peuvent être fabriqués avec une technologie à couches minces conventionnelle. Leur promesse consiste à offrir des vitesses de traitement informatique beaucoup plus rapides et une plus grande mémoire à moindre coût. Ils ont été démontrés avec succès depuis 1998, mais des problèmes tels que la dégradation des nanotubes en présence d'oxygène et de fiabilité à long terme sous température ou contraintes de champ électrique les ont maintenus expérimentaux.
Les autres types de transistors à effet sur le terrain à l'usage courant dans l'industrie comprennent les transistors Gate, tels que le BIP isoléOlar Transistor (IGBT), qui peut gérer des tensions allant jusqu'à 3 000 volts, et agir comme des commutateurs rapides. Ils ont des applications diverses dans de nombreux appareils électroménagers, voitures électriques et systèmes électriques, tout en étant couramment utilisés dans les amplificateurs audio. Les FET en mode épuisé sont un autre exemple de variation de la conception FET et sont souvent utilisés comme capteurs de photons et amplificateurs de circuit.
Les nombreux besoins complexes des équipements informatiques et électroniques continuent de promouvoir une diversification dans la conception de la fonction des transistors et des matériaux à partir desquels ils sont construits. Le transistor à effet de champ est une composante fondamentale dans pratiquement tous les circuits. Le principe du transistor à effet sur le terrain a été breveté pour la première fois en 1925, mais de nouveaux concepts pour utiliser cette idée sont continuellement créés.