MOSFETトランジスタとは何ですか？

MOSFETトランジスタは、電子デバイスの信号を切り替えたり増幅したりする半導体デバイスです。 MOSFETは、金属 - 酸化物 - セミュマクターフィールドエフェクトトランジスタの頭字語です。名前は、MOSFET、MOS FET、またはMOS FETとしてさまざまに書くことができます。 MOSFETトランジスタという用語は、その冗長性にもかかわらず一般的に使用されます。 MOSFETトランジスタの目的は、少量の電力を使用してはるかに多くの量の流れに影響を与えることにより、デバイスを介した電荷の流れに影響を与えることです。 MOSFETは、最新の電子機器で最も一般的に使用されるトランジスタです。

MOSFETトランジスタは、統合された回路で最も一般的に使用されるトランジスタタイプであるため、ほとんどすべての最新のコンピューターと電子デバイスの基礎であるため、現代生活で遍在しています。 MOSFETトランジスタは、その低消費量と散逸、廃熱の低さ、大量生産コストの低さにより、この役割に適しています。最新の統合回路には、数十億のMOSFETを含めることができます。 MOSFETトランジスタは事前ですセルラー電話やデジタル時計から、気候学、天文学、粒子物理学などの分野での複雑な科学的計算に使用される膨大なスーパーコンピューターに至るまでのデバイスで送信されます。ソースとドレインはトランジスタの本体にあり、ゲートはソースとドレインの間に配置されたこれら3つの端子の上にあります。ゲートは、断熱材の薄い層によって他の端子から分離されています。

MOSFETは、負に帯電した電子または積極的に帯電した電子穴のいずれかを電荷キャリアとして使用するように設計できます。ソース、ゲート、および排水端子は、電子または電子の穴が過剰になるように設計されており、それぞれが負または正の極性を与えます。ソースとドレインは常に同じ極性であり、ゲートは常にtの反対の極性です彼はソースと排水を排出します。

ボディとゲートの間の電圧が増加し、ゲートが電荷を受信すると、同じ電荷の電荷キャリアがゲートの領域から反発され、枯渇領域と呼ばれるものが作成されます。この領域が十分に大きくなると、絶縁層と半導体層の界面に反転層と呼ばれるものが作成され、ゲートの反対極性の電荷キャリアが簡単に流れるチャネルを提供します。これにより、大量の電力が供給源から排水路に流れるようになります。すべてのフィールド効果トランジスタと同様に、各個々のMOSFETトランジスタは、正または負電荷キャリアのみを使用します。

MOSFETトランジスタは、主にシリコンまたはシリコンドイツ合金で作られています。半導体端子の特性は、ドーピングと呼ばれるプロセスであるホウ素、リン、またはヒ素などの物質の小さな不純物を追加することで変更できます。ゲートは通常、多結晶でできていますAlline Silicon、一部のMOSFETには、チタン、タングステン、ニッケルなどの金属と合金化されたポリシリコンで作られた門があります。非常に小さなトランジスタは、タングステン、タンタル、または窒化チタンなどの金属から作られたゲートを使用しています。断熱層は、最も一般的に二酸化シリコン（SO ₂ ）で作られていますが、他の酸化物化合物も使用されます。