EEPROMとフラッシュ間の接続は何ですか？

電子的に消去可能なプログラム可能な読み取り専用メモリ（EEPROM）とフラッシュメモリには多くの共通点があります。 EEPROMとフラッシュメモリは両方ともチップフォーマットで構築され、消去および書き換え可能なデータを保存でき、同じフローティングゲートトランジスタ技術を使用します。 フラッシュメモリはEEPROMの一種であると述べるのは正しいですが、通常、EEPROMとフラッシュメモリという用語は異なるデバイスを表します。

EEPROMは、一般的な用語で、何らかの種類の電子デバイスを使用してデジタルデータを書き込んだり消去したりできる任意のタイプのデータメモリデバイスを指します。 これは、紫外線などの非電子的な方法で物理的に取り外して消去する必要がある消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（EPROM）とは対照的です。 フラッシュメモリの書き込みと消去の実行はコンピュータで実行されるため、フラッシュメモリは定義によりEEPROMです。

フラッシュメモリはEEPROMの一種ですが、2つの用語は通常、非常に異なる種類のデバイスを表します。 たとえば、EEPROMは通常、より大きな集積回路（IC）に組み込まれます。 ICの残りの部分が目的を達成するために必要とするさまざまなデータを保存する機能を果たします。 EEPROMは、通常1バイトの長さの小さなブロックにデータを保存することでこれを行います。

一方、フラッシュメモリは通常、USBドライブやカメラのメモリカードなどのスタンドアロンメモリストレージデバイスで使用され、コンピュータのユーザーファイルを保存します。 これを行うために、データは大きなブロックに編成され、各ブロックには多くのバイトのデータが含まれています。 これらの大きなブロックは、シングルバイトのデータブロックよりもはるかに高速にアクセスおよび消去できます。 データの処理速度が大幅に向上したことから、フラッシュメモリの名前が由来しています。

EEPROMとフラッシュメモリはどちらも、フローティングゲートトランジスタを使用してデータを保存します。 その結果、両方の形式のメモリは不揮発性です。 不揮発性とは、電力が利用できない場合でもデータを保存し続けることができるメモリのことです。 これは、コンピューターのランダムアクセスメモリなど、電源が切断されるとすぐにすべての保存されたデータをダンプする他の種類のメモリとは対照的です。

フローティングゲートトランジスタベースの技術のもう1つの共通の属性は、メモリウェアと呼ばれる現象によるトランジスタの限られたライフサイクルです。 これらのデバイスからデータが書き込まれたり消去されたりするたびに、もう少し摩耗が発生します。 最終的に、10,000から100,000サイクル後に、トランジスタが故障し始めます。 EEPROMにはほとんど変更されない動作データが含まれていますが、フラッシュメモリに保存されているデータはしばしば変更されます。 したがって、EEPROMとフラッシュメモリの両方でメモリが消耗しますが、通常はフラッシュメモリにはるかに大きな影響を与えます。