Was ist ein FET-Transistor?
Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein Gerät mit drei Anschlüssen, das die durchgelassene Elektrizitätsmenge steuern kann. FET-Transistoren können Elektrizität sehr schnell schalten oder steuern. Einige Feldeffekttransistoren sind in der Lage, große Mengen elektrischer Energie zu verarbeiten, was sie in einer Vielzahl von elektronischen und elektrischen Geräten nützlich macht, die in Verbraucher-, Handels- und Militäranwendungen verwendet werden.
Der FET-Transistor hat normalerweise Source-, Drain- und Gate-Anschlüsse. Der elektrische Widerstand zwischen Source und Drain kann durch Ändern des elektrischen Potentials oder der Spannung zwischen Gate und Source manipuliert werden. In Anbetracht dieses Effekts kann der FET-Transistor in einer beliebigen elektronischen Schaltung verwendet werden, beispielsweise in Stromversorgungen, Verstärkern und Empfängern.
FET-Transistortypen umfassen den Sperrschicht-FET (JFET) und den Metalloxid-FET (MOSFET). Der JFET hat einen Übergang zwischen dem Gate und der Source, während der MOSFET-Transistor ein Gate hat, das von der Source isoliert ist. FET-Transistoren können auch als Verarmungs- oder Anreicherungsvorrichtungen kategorisiert werden. Bei einem Verarmungs-FET-Transistor ist der leitende Hauptkanal zwischen der Source und dem Drain anfänglich leitend, wenn zwischen dem Gate und der Source eine Spannung von Null liegt. Bei einem Anreicherungstransistor fehlt der leitende Hauptkanal nahezu, wenn zwischen Gate und Source keine Spannung anliegt.
In elektronischen Schaltkreisen wirken Schaltvorrichtungen wie ein gewöhnlicher Lichtschalter und schalten ihn ein oder aus. Neben dem Schalten kann ein Gerät den Strom- oder Stromladungsfluss über einen bestimmten Pfad in der Schaltung steuern. Diese Fähigkeit ermöglicht es, viele nützliche Schaltkreise wie Verstärker und Empfänger zu bauen, die in kommerziellen Geräten wie Stereoanlagen, Radios, Fernsehgeräten und Heimcomputern verwendet werden.
Bevor der FET-Transistor entdeckt wurde, verwendete die Elektronikindustrie den Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der von der Vakuumröhre (VT), einer versiegelten Glasröhre mit mindestens drei Hauptanschlüssen, bekannt als Kathode, Platte und Gitter, angetrieben wurde befindet sich in einem Vakuum. Die elektrische Ladung von der Kathode zur Platte fließt über einen gasförmigen Zustand durch ein Vakuum, während das Gitter den Stromfluss zwischen der Platte und der Kathode steuert. Durch die richtige Konstruktion kann die Vakuumröhre wie üblich als Schalter oder als Verstärker verwendet werden. In diesem Fall werden nur geringe Signalpegel (z. B. Ton oder Radio) akzeptiert, und es werden umfangreiche Replikate oder verstärkte Versionen erstellt.
Als der BJT in großem Maßstab zum Einsatz kam, waren Vakuumröhren für spezielle Anwendungen reserviert, bei denen die Energieeinsparung keine Priorität hatte. Das BJT war das erste Halbleiterbauelement, da die Ladungen den ganzen Weg durch festes Material wanderten. Weitere Entwicklungen führten den FET-Transistor ein, der ein überragendes rauscharmes Verhalten bietet und sich am besten für spezielle Anwendungen wie Funk und optische Kommunikation eignet.