Vad är en FET-transistor?
En fälteffekttransistor (FET) är en tre-terminal enhet som kan kontrollera mängden el som får passera. FET-transistorer kan växla eller styra el mycket snabbt. Vissa fälteffekttransistorer kan hantera stora mängder elkraft, vilket gör det användbart i en mängd olika elektroniska och elektriska apparater som används i konsument-, kommersiella och militära applikationer.
FET-transistorn har vanligtvis käll-, dränerings- och grindterminaler. Elektriskt motstånd mellan källan och avloppet kan manipuleras genom att ändra den elektriska potentialen, eller spänningen, mellan grinden och källan. Med tanke på denna effekt kan FET-transistorn användas i vilken elektronisk krets som helst, till exempel strömförsörjning, förstärkare och mottagare.
FET-transistortyper inkluderar korsningen FET (JFET) och metalloxid FET (MOSFET). JFET har en korsning mellan grinden och källan, medan MOSFET-transistorn har en grind som är isolerad från källan. FET-transistorer kan också kategoriseras som utarmnings- eller förbättringsanordningar. För en utarmad FET-transistor är den ledande kanalen mellan källan och avloppet initialt ledande när det finns nollspänning mellan grinden och källan. För en förbättringstransistor är huvudledande kanal nästan frånvarande när det finns nollspänning mellan grinden och källan.
I elektroniska kretsar fungerar omkopplingsenheter som en vanlig ljusströmbrytare och slår på eller stänger av den. Förutom omkoppling kan en anordning styra strömmen eller den elektriska laddningsflödet genom en specifik bana på kretsen. Denna kapacitet gör det möjligt att bygga många användbara kretsar, såsom förstärkare och mottagare, som används i kommersiella apparater som stereo, radio, tv-apparater och hemdatorer.
Innan FET-transistorn upptäcktes använde elektronikindustrin den bipolära förbindelsetransistorn (BJT), som i sig framställdes av vakuumröret (VT), ett förseglat glasrör med minst tre huvudterminaler kända som katoden, plattan och rutnätet ligger i ett vakuum. Den elektriska laddningen från katod till platta flyger genom ett vakuum via ett gasformigt tillstånd, medan nätet styr flödet av elektricitet mellan plattan och katoden. Genom korrekt utformning kan vakuumröret användas som en omkopplare eller som en förstärkare, som är vanligast. I detta fall accepterar den låga nivåer av signaler, till exempel ljud eller radio, och producerar kopior på stora nivåer eller förstärkta versioner.
När BJT började användas i stor skala reserverades vakuumrör för speciella tillämpningar där kraftekonomi inte var prioriterad. BJT var den första solid-state-enheten eftersom laddningarna gick genom fast material hela vägen. Ytterligare utveckling introducerade FET-transistorn, som gav överlägsen lågbrusprestanda, vilket gjorde den bäst lämpad för speciella applikationer som radio och optisk kommunikation.