¿Qué es un transistor FET?
Un transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que puede controlar la cantidad de electricidad que se puede pasar. Los transistores FET pueden cambiar o controlar la electricidad muy rápidamente. Algunos transistores de efectos de campo pueden manejar grandes cantidades de energía eléctrica, lo que lo hace útil en una amplia variedad de equipos electrónicos y eléctricos utilizados en aplicaciones de consumo, comerciales y militares.
El transistor FET generalmente tiene fuente, drenaje y terminales de puerta. La resistencia eléctrica entre la fuente y el drenaje se puede manipular cambiando el potencial eléctrico, o voltaje, entre la puerta y la fuente. Dado este efecto, el transistor FET se puede usar en cualquier circuito electrónico, como suministros de alimentación, amplificadores y receptores.
Los tipos de transistores FET incluyen el FET de unión (JFET) y el FET de óxido de metal (MOSFET). El JFET tiene una unión entre la puerta y la fuente, mientras que el transistor MOSFET tiene una puerta aislada de la fuente. Fet tranLos admiradores también se pueden clasificar como dispositivos de agotamiento o mejora. Para un transistor FET de agotamiento, el canal conductor principal entre la fuente y el drenaje es inicialmente conductivo cuando hay cero voltaje entre la puerta y la fuente. Para un transistor de mejora, el canal conductor principal está casi ausente cuando hay cero voltaje entre la puerta y la fuente.
En los circuitos electrónico, los dispositivos de conmutación actúan como un interruptor de luz ordinario, encendiéndolo o apagado. Además de la conmutación, un dispositivo puede controlar la velocidad de flujo de carga corriente o eléctrica a través de una ruta específica en el circuito. Esta capacidad permite construir muchos circuitos útiles, como amplificadores y receptores, utilizados en electrodomésticos comerciales como estereos, radios, televisores y computadoras domésticas.
Antes de descubrir el transistor FET, la industria electrónica utilizó el transist de la unión bipolaro (BJT), que se procedió por el tubo de vacío (VT), un tubo de vidrio sellado con al menos tres terminales principales conocidas como cátodo, placa y cuadrícula ubicada dentro de un vacío. La carga eléctrica de cátodo a placa vuela a través de un vacío a través de un estado gaseoso, mientras que la cuadrícula controla el flujo de electricidad entre la placa y el cátodo. Mediante un diseño adecuado, el tubo de vacío se puede usar como un interruptor o como un amplificador, como es más común. En este caso, acepta bajos niveles de señales, como el sonido o la radio, y produce réplicas de gran nivel o versiones amplificadas.
Cuando el BJT comenzó a usarse a gran escala, los tubos de vacío se reservaron para aplicaciones especiales donde la economía de poder no era una prioridad. El BJT fue el primer dispositivo de estado sólido porque las cargas viajaron a través del material sólido hasta el final. Otros desarrollos introdujeron el transistor FET, que proporcionó un rendimiento superior de bajo ruido, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones especiales como radio y ópticacomunicaciones.