Qu'est-ce qu'un transistor planaire?
Le transistor planaire a été inventé par Jean Hoerni en 1959. La conception du transistor planaire a été améliorée par rapport aux modèles précédents en le rendant moins coûteux à fabriquer, fabriqué en série et plus performant pour amplifier les entrées électriques. Le transistor plan est construit en couches et peut avoir toutes ses connexions dans le même plan.
La première couche dans un transistor planaire est une base de matériau semi-conducteur. De nombreuses impuretés sont ajoutées à cette base, ce qui lui permet d’être un meilleur conducteur. Une deuxième couche de semi-conducteur, avec moins d'impuretés, est ensuite posée sur la base. Une fois la deuxième couche en place, le centre de celle-ci est gravé, laissant des bords épais du deuxième matériau autour des côtés et une fine couche au-dessus de la base, en forme de bol carré.
Une section de matériau de polarité opposée à celle des deux couches initiales est ensuite placée dans le bol. Une fois encore, le centre de cette couche est éliminé par attaque chimique pour former un bol plus petit. Un matériau similaire à la première couche du transistor plan est ensuite ajouté. Les deuxième, troisième et quatrième couches sont toutes alignées avec le haut du transistor.
Les composants positifs et négatifs du semi-conducteur plan sont accessibles sur le même plan du dispositif. Des connecteurs métalliques peuvent être fixés au transistor une fois les composants en place, ce qui permet à l'appareil de recevoir et d'émettre de l'électricité. Le transistor reçoit une entrée de la première couche et émet une sortie de la quatrième. La troisième couche est utilisée pour charger une charge dans le transistor afin d’amplifier l’entrée.
Bien que la conception du dispositif soit un peu plus compliquée que les transistors précédents, de nombreux transistors plans peuvent être fabriqués en même temps. Cela réduit la quantité de temps et, par conséquent, l'argent nécessaire à la production de transistors, ce qui a ouvert la voie à une électronique plus abordable. Ces types de transistors peuvent également augmenter l’entrée à des niveaux plus élevés que les modèles de transistors précédents.
Dans les transistors antérieurs, la couche d'oxyde qui se forme naturellement sur la surface du semi-conducteur a été retirée du transistor pour éviter toute contamination. Cela signifiait que les jonctions délicates entre les sections positive et négative du transistor devaient être exposées. La construction de couches du transistor, comme le demandait la conception de Hoerni, incorporait la couche d’oxyde comme caractéristique protectrice des jonctions.