Was ist ein planarer Transistor?
Der planare Transistor wurde 1959 von Jean Hoerni erfunden. Die Gestaltung des planaren Transistors verbesserte sich bei früheren Entwürfen, indem sie sie billiger zu machen, massenproduzierbar und besser bei der Verstärkung der elektrischen Eingabe zu verstärken. Der planare Transistor ist in Schichten eingebaut und kann alle seine Verbindungen in derselben Ebene haben.
Die erste Schicht in einem planaren Transistor ist eine Basis von Halbleitermaterial. Zu dieser Basis werden viele Verunreinigungen hinzugefügt, die es einem besseren Dirigenten ermöglichen. Eine zweite Halbleiterschicht mit weniger Verunreinigungen wird dann auf die Basis gelegt. Nachdem die zweite Schicht vorhanden ist, ist die Mitte davon geätzt, wodurch dicke Kanten des zweiten Materials um die Seiten und eine dünne Schicht über der Basis in der Form einer quadratischen Schüssel liegen. Wieder einmal ist die Mitte dieser Schicht weggeätzt und bildet eine kleinere Schüssel. Ein Material ähnlich der ersten Schicht des planaren TransisTOR wird dann hinzugefügt. Die zweite, dritte und vierte Schichten werden alle mit der Oberseite des Transistors bündig gemacht.
Die positiven und negativen Komponenten des planaren Halbleiters sind auf derselben Ebene des Geräts zugegriffen. Metallanschlüsse können nach vorhandener Komponenten an den Transistor angebracht werden, sodass das Gerät Strom empfangen und ausstrahlt. Der Transistor erhält Eingang aus der ersten Schicht und gibt die Ausgabe aus dem vierten aus. Die dritte Schicht wird verwendet, um eine Ladung in den Transistor auszuführen, damit die Eingabe verstärkt werden kann.
Obwohl das Design des Geräts etwas komplizierter ist als frühere Transistoren, können gleichzeitig viele planare Transistoren hergestellt werden. Dies verringert die Zeit und anschließend Geld, die zur Herstellung von Transistoren erforderlich sind, und hat dazu beigetragen, den Weg für günstigere Elektronik zu ebnen. Diese Arten von Transistoren können den Eingang auch auf höhere Ebenen als Earlie steigernr Modelle von Transistoren.
In früheren Transistoren wurde die Oxidschicht, die sich auf der Oberseite des Halbleiters auf natürliche Weise bildet, aus dem Transistor entfernt, um eine Kontamination zu verhindern. Dies bedeutete, dass die empfindlichen Verbindungen zwischen den positiven und negativen Abschnitten des Transistors freigelegt werden mussten. Die Konstruktion des Transistors in Schichten, wie das Design von Hoerni forderte, integrierte die Oxidschicht als Schutzmerkmal für die Kreuzungen.