O que é um transistor planar?

O transistor planar foi inventado por Jean Hoerni em 1959. O design do transistor planar melhorou em relação aos projetos anteriores, tornando-os mais baratos de produzir, produzidos em massa e melhores na amplificação da entrada elétrica. O transistor plano é construído em camadas e pode ter todas as suas conexões no mesmo plano.

A primeira camada em um transistor planar é uma base de material semicondutor. Muitas impurezas são adicionadas a essa base, permitindo que ela seja um melhor condutor. Uma segunda camada de semicondutor, com menos impurezas, é então colocada no topo da base. Depois que a segunda camada está no lugar, o centro é gravado, deixando bordas grossas do segundo material ao redor dos lados e uma fina camada acima da base, na forma de uma tigela quadrada.

Uma seção de material de polaridade oposta à das duas camadas iniciais é então colocada na tigela. Mais uma vez, o centro dessa camada é gravado, formando uma tigela menor. Um material semelhante à primeira camada do transistor plano é então adicionado. A segunda, terceira e quarta camadas são todas niveladas com a parte superior do transistor.

Os componentes positivos e negativos do semicondutor plano são acessados ​​no mesmo plano do dispositivo. Os conectores de metal podem ser conectados ao transistor após a instalação dos componentes, permitindo que o dispositivo receba e emita eletricidade. O transistor recebe entrada da primeira camada e emite saída da quarta. A terceira camada é usada para executar uma carga no transistor, para que ele possa amplificar a entrada.

Embora o design do dispositivo seja um pouco mais complicado que os transistores anteriores, muitos transistores planares podem ser feitos ao mesmo tempo. Isso diminui a quantidade de tempo e, posteriormente, o dinheiro necessário para produzir transistores e ajudou a abrir caminho para produtos eletrônicos mais acessíveis. Esses tipos de transistores também podem aumentar a entrada para níveis mais altos do que os modelos anteriores de transistores.

Nos transistores anteriores, a camada de óxido que se forma naturalmente na superfície do semicondutor foi removida do transistor para evitar contaminação. Isso significava que as delicadas junções entre as seções positiva e negativa do transistor precisavam ser expostas. A construção do transistor em camadas, como exigia o projeto de Hoerni, incorporou a camada de óxido como um recurso de proteção para as junções.